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Hexfet Power MOSFET
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Produkt: Geschlecht:369Hexfet Power MOSFET 
Einzelpreis: Negotiable
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Gültig bis: Long-term effective
Last Aktualisiert: 2019-05-25 14:28
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Einzelheiten

IRFR / U5410

● Extrem niedriger Einschaltwiderstand

● P-Kanal

● Oberflächenmontage (IRFR5410)

● Gerade Leitung (IRFU5410)

● Fortschrittliche Prozesstechnologie

● Schnelles Umschalten l Vollständige Lawinenbewertung

Beschreibung

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier verwenden fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Ein-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Bauelementdesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Konstrukteur ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Das D-Pak ist für die Oberflächenmontage unter Verwendung von Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken konzipiert. Die Version mit gerader Leitung (IRFU-Serie) eignet sich für Durchsteckmontage. In typischen Oberflächenmontage-Anwendungen sind Verlustleistungen von bis zu 1,5 Watt möglich.


Schnelle Details

Ursprungsort: Japan

Markenname: original

Modellnummer: IRFR5410

Typ: MOS-Röhre N-Kanal, Transistor

Pakettyp: Oberflächenmontage

Produktname: IRFR5410

Versand durch: DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post

Bezahlung: Paypal

Paket: TO-252

Anwendung: Elektronische Produkte

Lieferzeit: auf lager

D / C: NEU

Herkunftsort: JP

Farbe schwarz


Produktbeschreibung

Modell-Nr

IRFR5410

Paket

TO-252

Art

Transistor

Vorlaufzeit

1 ~ 3 Tage

MOQ

1 STÜCK

Garantie

90 Tage

Über uns

Unser Unternehmen kann alle Arten von ICs, Transistoren, Dioden, Relais, Kondensatoren, Widerständen, Sicherungen, igbt-Modulen usw. liefern. Gerne können Sie mir Ihre RFQs an Skype schicken: suexdhk.


http://de.gnscomponent.com/

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